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ZnGeP2 晶體 ZGP晶體太赫茲晶體

簡要描述：ZnGeP2 晶體 ZGP晶體太赫茲晶體
ZnGeP2（ZGP）單晶是用于頻率轉換產生中紅外以及太赫茲波的高效的非線性光學材料。ZnGeP2晶體具有正的雙折射，可以在0.75um-12.0um的波長范圍進行相位匹配光學參量頻率轉換。其有用的傳輸范圍位于從2.1至10.6微米，此范圍內具有低至 0.04 cm-1的吸收。

產品型號：Eachwave
更新時間：2025-03-12
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品牌	其他品牌	產地類別	國產
應用領域	電子/電池

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ZnGeP₂（ZGP）單晶是用于頻率轉換產生中紅外以及太赫茲波的高效的非線性光學材料。ZnGeP₂晶體具有正的雙折射，可以在0.75um-12.0um的波長范圍進行相位匹配光學參量頻率轉換。其有用的傳輸范圍位于從2.1至10.6微米，此范圍內具有低至 0.04 cm^-1的吸收。ZnGeP₂具有很大的非線性光學系數和相對高的激光損傷閾值。ZnGeP₂晶體具有以下應用：經由與1.06毫米混頻上轉換CO₂激光光到近紅外范圍;：合頻CO和CO2產生的激光輻射; 高效的倍頻CO，CO₂脈沖激光（49％的倍頻效率 1GW/cm²光強，2ns脈沖寬度，9.52毫米波長），在鉺激光和鈥激光激發下用于中紅外波段OPO激光產生。

ZnGeP₂晶體的應用

—— CO₂激光器二次、三次和四次諧波產生

—— 2um及光泵浦是的光參量產生

—— 相干激發輻射太赫茲頻段的光波 70um-1000um （0.3-4THz）

詳細參數

透明度范圍，微米	0.75 - 12.0
點群	42m
密度，g/cm³	4.12
莫氏硬度	5.5
折射率：
在2.00微米	ñ _Ø = 3.1490; ñ _Ë = 3.1889
在4.00微米	ñ _Ø = 3.1223; ñ _Ë = 3.1608
在6.00微米	ñ _Ø = 3.1101; ñ _Ë = 3.1480
在8.00微米	ñ _Ø = 3.0961; ñ _Ë = 3.1350
在10.00微米	ñ _Ø = 3.0788; ñ _Ë = 3.1183
在12.00微米	ñ _Ø = 3.0552; ñ _Ë = 3.0949
非線性系數，pm/ V	Ð ₃₆ = 68.9（10.6微米），D ₃₆ = 75.0（9.6微米）
光損傷閾值，MW /cm²	60（10.6微米，150納秒）